摘　要：用化學氣相淀積方法在Si(100)襯底上外延生長Ge組分漸變的Si1-xGex:C合金薄膜.本文通過能量色散譜儀喬(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對合金薄膜的元素深度分布和表面形貌進行了表征,分析研究了外延層的生長溫度、生長時間對Si1-xGex:C合金薄膜性質(zhì)的影響.結(jié)果表明,Si1-xGex:C外延層生長溫度和生長時間一定范圍內(nèi)的增加加強了島與島之間的合并,促進了襯底Si原子向表面擴散、表面Ge原子向襯底擴散,且生長溫度比生長時間對Si、Ge原子互擴散的影響大.

　　關鍵詞：Si1-xGex:C合金薄膜;擴散;能量色散譜儀;化學氣相淀積

　　分類號：TN304.2　文獻標識碼：A

　　文章編號：1672-7126(2008)增刊-052-04

Growth Conditions and Stoichiometries of Si1-xGex:C Alloy Films

Mei Qin　 Han Ping　 Wang Ronghua　 Wu Jun　 Xia Dongmei　 Ge Ruiping　 Zhao Hong　 Xie Zili　 Xiu Xiangqian　 Zhang Rong　 Zheng Youliao